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粘晶切割胶带
（用于标准工艺）
标准工艺 – 芯片对芯片 –
以上为实测值，非保证值。
| LE5000S | LE04-10 | 测量方法 | ||
|---|---|---|---|---|
| 总厚度（μm） | 120 | 110 | 剥离膜除外 | |
| 基材厚度(μm) | 100 | 100 | ||
| 粘合剂厚度（μm） | 20 | 10 | ||
| 外观 | 乳白色 | 深褐色 | ||
| 捡晶能力 (N/5 mm X 5 mm) |
1.1 | 1.0 | ||
| 剪切强度 (N/2 mm X 2 mm) |
213 | 193 (23ºC) | 附着体：铜板 | |
| 玻璃化转变温度 (ºC) | 136 | 195 | 模量数据 | |
| 储能模量 (Pa) |
25ºC | 1.8 X 109 | 1.9 X 109 | 测量频率 : 11 Hz |
| 100ºC | 6.9 X 108 | 8.2 X 108 | ||
| 150ºC | 6.0 X 107 | 2.8 X 108 | ||
| 200ºC | 3.9 X 107 | 4.9 X 107 | ||
| 250ºC | 3.8 X 107 | 2.8 X 107 | ||
| 线膨胀系数 CTE (ppm) | α1 | 105 | 80 | TMA |
| α2 | 180 | 150 | ||
| 吸水率 (wt%) | 2.0 | 2.0 – 2.6 | MSL1 : 85ºC, 85%RH/168 hrs | |
| 热硬化条件 | 160ºC/60 min | 160ºC/60 min | ||
紫外线照射条件
1) 照度 : 220 mW/cm2 2) 光量 : 160 mJ/cm2 3) 波长 : 365nm.
标准工艺 – 芯片对基板 –
以上为实测值，非保证值。
| LE4424 | 测量方法 | ||
|---|---|---|---|
| 总厚度（μm） | 120 | 剥离膜除外 | |
| 基材厚度(μm) | 100 | ||
| 粘合剂厚度（μm） | 20 | ||
| 外观 | 透明 | ||
| 捡晶能力 (N/5 mm X 5 mm) |
0.9 | ||
| 剪切强度 (N/2 mm X 2 mm) |
65 (R.T.) 8.8 (250ºC / 30 sec.) |
附着体：铜板 | |
| 玻璃化转变温度 (ºC) | 53 | 模量数据 | |
| 储能模量 (Pa) |
25ºC | 2.0 X 109 | 测量频率 : 11 Hz |
| 100ºC | 1.1 X 106 | ||
| 150ºC | 5.9 X 105 | ||
| 200ºC | 5.5 X 105 | ||
| 250ºC | 8.0 X 105 | ||
| 线膨胀系数 CTE (ppm) | α1 | 99 | TMA |
| α2 | 195 | ||
| 吸水率 (wt%) | 0.7 | MSL1 : 85ºC, 85%RH/168 hrs | |
| 热硬化条件 | 175ºC/5 hrs* | ||
*树脂封装时的热硬化条件
紫外线照射条件
1) 照度 : 220 mW/cm2 2) 光量 : 160 mJ/cm2 3) 波长 : 365nm.
FOW – 芯片对芯片 –
以上为实测值，非保证值。
| LE4777H | 测量方法 | ||
|---|---|---|---|
| 总厚度（μm） | 175 | 剥离膜除外 | |
| 基材厚度(μm) | 100 | ||
| 粘合剂厚度（μm） | 75 | ||
| 外观 | 褐色 | ||
| 捡晶能力 (N/5 mm X 5 mm) |
0.7 | ||
| 剪切强度 (N/2 mm X 2 mm) |
200 (R.T.) | 附着体：铜板 | |
| 玻璃化转变温度 (ºC) | 204 | 模量数据 | |
| 储能模量 (Pa) |
25ºC | 3.8 X 109 | 测量频率 : 11 Hz |
| 100ºC | 2.6 X 109 | ||
| 150ºC | 1.6 X 109 | ||
| 200ºC | 4.3 X 108 | ||
| 250ºC | 2.0 X 108 | ||
| 线膨胀系数 CTE (ppm) | α1 | 50 | TMA |
| α2 | 130 | ||
| 吸水率 (wt%) | 1.0 | MSL1 : 85ºC, 85%RH/168 hrs | |
| 热硬化条件 | 160ºC/60 min | ||
紫外线照射条件
1) 照度 : 220 mW/cm2 2) 光量 : 160 mJ/cm2 3) 波长 : 365nm.