切割胶带　D series （紫外线硬化型切割胶带） | Adwill:半导体产品

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Dicing Tape （紫外线硬化型切割胶带）

用于硅晶圆的刀片切割 -标准-

表中的数值为测量值，非保证值。

		D-175D*	D-174D	D-485H
总厚度(μm)		90	90	85
外观		蓝色半透明	蓝色半透明	半透明
结构	基材 (μm)	PVC 80	PVC 80	PO 80
结构	粘着剂 (μm)	10	10	5
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射前	580	740	4900
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射后^*2	80	80	80

*1: 剥离速度 = 300 mm/min, 剥离角度 = 180°，附着体 = 硅镜面晶圆

*2: 紫外线照射条件照度＝ 230 mW/cm², 光量＝190 mJ/cm²,主波长＝ 365 nm

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用于硅晶圆的刀片切割 -低捡晶型-

表中的数值为测量值，非保证值。

		D-175D*	D-174D	D-485H	D-495H
总厚度（μm）		90	90	85	85
外观		蓝色半透明	蓝色半透明	半透明	半透明
结构	基材 (μm)	PVC 80	PVC 80	PO 80	PO 80
结构	粘着剂 (μm)	10	10	5	5
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射前	580	740	4900	4900
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射后^*2	80	80	80	80
备注					极少晶丝易剥离

*1: 剥离速度 = 300 mm/min, 剥离角度 = 180°, 附着体= 硅镜面晶圆

*2: 紫外线照射条件照度＝ 230 mW/cm², 光量＝190 mJ/cm²,主波长＝ 365 nm

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用于硅晶圆的刀片切割 ‐用于小芯片（<1 mm）‐

表中的数值为测量值，非保证值。

		D-176D	D-171D	D-611H
总厚度（μm）		90	90	85
外观		蓝色半透明	蓝色半透明	半透明
结构	基材 (μm)	PVC 80	PVC 80	PO 80
结构	粘着剂 (μm)	10	10	5
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射前	920	5000	6300
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射后^*2	190	200	720

*1: 剥离速度 = 300 mm/min, 剥离角度 = 180°, 附着体= 硅镜面晶圆

*2: 紫外线照射条件照度＝ 230 mW/cm², 光量＝190 mJ/cm²,主波长＝ 365 nm

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用于硅晶圆的刀片切割 -极少晶丝-

表中的数值为测量值，非保证值。

		D-495H
总厚度（μm）		85
外观		半透明
结构	基材 (μm)	PO 80
结构	粘着剂 (μm)	5
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射前	4900
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射后^*2	80

*1: 剥离速度 = 300 mm/min, 剥离角度 = 180°, 附着体= 硅镜面晶圆

*2: 紫外线照射条件照度＝ 230 mW/cm², 光量＝190 mJ/cm²,主波长＝ 365 nm

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用于PKG的刀片切割 -标准-

表中的数值为测量值，非保证值。

		D-510TC	D-511TC
总厚度（μm）		170	170
外观		半透明	半透明
结构	基材 (μm)	PO 140	PO 140
结构	粘着剂 (μm)	30	30
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射前	22000	13000
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射后^*2	900	120

*1: 剥离速度 = 300 mm/min, 剥离角度 = 180°, 附着体= 硅镜面晶圆

*2: 紫外线照射条件照度＝ 230 mW/cm², 光量＝190 mJ/cm²,主波长＝ 365 nm

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用于PKG的刀片切割 ‐防静电-

表中的数值为测量值，非保证值。

		D-841	D-825	D-847W	D-846
总厚度（μm）		150	150	160	150
外观		半透明	半透明	半透明	半透明
结构	基材 (μm)	PO 140	PO 140	PO 140	PO 140
结构	粘着剂 (μm)	10	10	20	10
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射前	25000	9700	17590	18900
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射后^*2	50	100	90	40
表面电阻率（Ω/□）^*3	紫外线照射前	3.9×10¹¹	5.1×10¹⁰	3.6×10¹⁰	1.7×10¹¹
表面电阻率（Ω/□）^*3	紫外线照射后^*2	3.9×10¹²	3.0×10¹¹	2.2×10¹¹	5.6×10¹¹
表面电阻率（Ω/cm）^*3	紫外线照射前	5.6×10¹⁴	5.4×10¹⁴	4.2×10¹⁴	7.8×10¹⁴
表面电阻率（Ω/cm）^*3	紫外线照射后^*2	3.5×10¹⁵	7.9×10¹⁴	5.4×10¹⁴	2.0×10¹⁵
带电电压（V）^*4	紫外线照射前	960	500	540	680
带电电压（V）^*4	紫外线照射后^*2	1260	610	900	840
备注		标准	用于绿色化合物封装	用于金属膜封装	用于玻璃

*1: 剥离速度 = 300 mm/min, 剥离角度 = 180°, 附着体= 硅镜面晶圆

*2: 紫外线照射条件照度＝ 230 mW/cm², 光量＝190 mJ/cm²,主波长＝ 365 nm

*3 ADVANTEST数字静电计，符合JIS K 6911标准，测量面=粘着剂面侧

*4 SHISHIDO静电公司制造 STATIC HONESTMETER静电测量仪，施加电压=10kV，测量面=粘着剂面侧

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用于玻璃/陶瓷的刀片切割

表中的数值为测量值，非保证值。

		D-241	D-210NC	D-218
总厚度（μm）		110	125	203
外观		半透明	半透明	半透明
结构	基材 (μm)	PET 100	PET 100	PET 188
结构	粘着剂 (μm)	10	25	15
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射前	16000	29000	11880
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射后^*2	50	200	280
备注		标准、抑制胶残留	支持小芯片	支持深切割

*1: 剥离速度 = 300 mm/min, 剥离角度 = 180°, 附着体= 硅镜面晶圆

*2: 紫外线照射条件照度＝ 230 mW/cm², 光量＝190 mJ/cm²,主波长＝ 365 nm

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用于隐形切割 -标准（低捡晶型）-

表中的数值为测量值，非保证值。

		D-455H
总厚度（μm）		75
外观		透明
结构	基材 (μm)	PO 70
结构	粘着剂 (μm)	5
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射前	6000
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射后^*2	140
透光率(%@1400 nm)		92

*1: 剥离速度 = 300 mm/min, 剥离角度 = 180°, 附着体= 硅镜面晶圆

*2: 紫外线照射条件照度＝ 230 mW/cm², 光量＝190 mJ/cm²,主波长＝ 365 nm

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用于隐形切割 -防静电-

表中的数值为测量值，非保证值。

		D-821HSD
总厚度（μm）		85
外观		透明
结构	基材 (μm)	PVC 80
结构	粘着剂 (μm)	5
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射前	2400
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射后^*2	320
透光率(%@1400 nm)		92
表面电阻率（Ω/□）^{^*3}	紫外线照射前	5.1×10¹²
表面电阻率（Ω/□）^{^*3}	紫外线照射后^*2	8.9×10¹²

*1: 剥离速度 = 300 mm/min, 剥离角度 = 180°, 附着体= 硅镜面晶圆

*2: 紫外线照射条件照度＝ 230 mW/cm², 光量＝190 mJ/cm²,主波长＝ 365 nm

^*3: ADVANTEST数字静电计，符合JIS K 6911标准，测量面=粘着剂面侧

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用于激光全切

表中的数值为测量值，非保证值。

		D-765
总厚度（μm）		130
外观		无色半透明
结构	基材 (μm)	特殊弹性体 120
结构	粘着剂 (μm)	10
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射前	5200
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射后^*2	130

*1: 剥离速度 = 300 mm/min, 剥离角度 = 180°, 附着体= 硅镜面晶圆

*2: 紫外线照射条件照度＝ 230 mW/cm², 光量＝190 mJ/cm²,主波长＝ 365 nm

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用于等离子切割

表中的数值为测量值，非保证值。

		D-485H	D-611
总厚度（μm）		85	95
外观		半透明	半透明
结构	基材 (μm)	PO 80	PO 80
结构	粘着剂 (μm)	5	15
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射前	4900	12300
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射后^*2	50	690
25%强度 (N/10 mm)^{^*3}	MD/CD	7.8 / 6.9	7.8 / 6.9
断裂强度（MPa）^{^*3}	MD/CD	33.3/ 27.5	33.3 / 27.5
断裂伸长率（％）^{^*3}	MD/CD	450/ 500	450/ 500

*1: 剥离速度 = 300 mm/min, 剥离角度 = 180°, 附着体= 硅镜面晶圆

*2: 紫外线照射条件照度＝ 230 mW/cm², 光量＝190 mJ/cm²,主波长＝ 365 nm

^*3拉伸速度 200 mm/min，样品尺寸 15 mm× 100 mm

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其他 -耐酸碱性-

表中的数值为测量值，非保证值。

		D-458J
总厚度（μm）		85
外观		透明
结构	基材 (μm)	PO 70
结构	粘着剂 (μm)	15
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射前	8200
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射后^*2	50

*1: 剥离速度 = 300 mm/min, 剥离角度 = 180°, 附着体= 硅镜面晶圆

*2: 紫外线照射条件照度＝ 230 mW/cm², 光量＝190 mJ/cm²,主波长＝ 365 nm

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其他 -耐热-

表中的数值为测量值，非保证值。

		D-435T
总厚度（μm）		110
外观		半透明
结构	基材 (μm)	PO 80
结构	粘着剂 (μm)	30
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射前	11400
粘着力^*1 (mN/25 mm)	紫外线照射后^*2	40
加热^3+紫外线照射后^2		400
耐热温度（℃）		~140

*1: 剥离速度 = 300 mm/min, 剥离角度 = 180°, 附着体= 硅镜面晶圆

*2: 紫外线照射条件照度＝ 230 mW/cm², 光量＝190 mJ/cm²,主波长＝ 365 nm

*3: 加热条件:140 ℃×1 hr

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Dicing Tape （紫外线硬化型切割胶带）

用于硅晶圆的刀片切割 -标准-

用于硅晶圆的刀片切割 -低捡晶型-

用于硅晶圆的刀片切割 ‐用于小芯片（<1 mm）‐

用于硅晶圆的刀片切割 -极少晶丝-

用于PKG的刀片切割 -标准-

用于PKG的刀片切割 ‐防静电-

用于玻璃/陶瓷的刀片切割

用于隐形切割 -标准（低捡晶型）-

用于隐形切割 -防静电-

用于激光全切

用于等离子切割

其他 -耐酸碱性-

其他 -耐热-

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