胶带

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芯片背面保护胶带LC Tape

卷 - IR遮挡型 -

以上为实测值,非保证值。

LC2850(25) LC2850(40) 测量方法
背面保护层(μm) 25 40  
外观 黑色 黑色
穿透率(%) < 5.0 < 1.0 波长:190 nm ~ 1600 nm
重量減少(%) 1.1 1.1 测量装置:TG-DTA
剥离强度(mN/10 mm) 5300 7100 铜箔 / 背面保护层 / Si晶圆(#2000)
线膨胀系数(ppm) α2 110 110 测量装置:TMA
硬化后晶圆翘曲度(mm) < 0.5 < 0.5 8 英寸晶圆 / 280 μm厚
MSL Level 1 Level 1 IR回流焊:260ºC / 3次
TCT Condition G Condition G JEDEC STANDARD (JESD22-A104-B)
Condition C: -65ºC⇔150ºC x 1000 循环
Condition G: -40ºC⇔125ºC x 1000 循环
杂质含量
[ppm]
Na+ 0.07 0.07 测量装置:离子色谱仪
抽样条件
样品:1 g、水:20 ml(121ºC)
NH4+ 5.4 5.4
Cl- 2.5 2.5
热固化条件 130ºC, 2 時間 130ºC, 2 時間  
备注 标准 标准  
LC88-25 LC88-40 测量方法
背面保护层(μm) 25 40  
外观 黑色 黑色
穿透率(%) < 1.0 < 1.0 波长:190 nm ~ 1600 nm
重量減少(%) 0.9 0.9 测量装置:TG-DTA
剥离强度(mN/10 mm) 12000 11500 铜箔 / 背面保护层 / Si晶圆(#2000)
线膨胀系数(ppm) α2 110 110 测量装置:TMA
硬化后晶圆翘曲度(mm) < 0.5 < 0.5 8 英寸晶圆 / 280 μm厚
MSL Level 1 Level 1 IR回流焊:260ºC / 3次
TCT Condition C Condition C JEDEC STANDARD (JESD22-A104-B)
Condition C: -65ºC⇔150ºC x 1000 循环
Condition G: -40ºC⇔125ºC x 1000 循环
杂质含量
[ppm]
Na+ 0.01 0.01 测量装置:离子色谱仪
抽样条件
样品:1 g、水:20 ml(121ºC)
NH4+ 4.5 4.5
Cl- 2.3 2.3
热固化条件 140ºC, 2 小时 140ºC, 2 小时  
备注 高可靠性 高可靠性  

卷 - IR穿透型 -

以上为实测值,非保证值。

LC2826H LC2846 测量方法
背面保护层(μm) 25 40  
外观 黑色 黑色
穿透率(%) < 50.0 < 35.0 波长:190 nm ~ 1600 nm
重量減少(%) 1.1 1.1 测量装置:TG-DTA
剥离强度(mN/10 mm) 9500 8500 铜箔 / 背面保护层 / Si晶圆(#2000)
线膨胀系数(ppm) α2 120 120 测量装置:TMA
硬化后晶圆翘曲度(mm) < 0.5 < 0.5 8 英寸晶圆 / 280 μm厚
MSL Level 1 Level 1 IR回流焊:260ºC / 3次
TCT Condition C Condition G JEDEC STANDARD (JESD22-A104-B)
Condition C: -65ºC⇔150ºC x 1000 循环
Condition G: -40ºC⇔125ºC x 1000 循环
杂质含量
[ppm]
Na+ 0.02 0.02 测量装置:离子色谱仪
抽样条件
样品:1 g、水:20 ml(121ºC)
NH4+ 5.6 5.6
Cl- 1.5 1.5
热固化条件 130ºC, 2 小时 130ºC, 2 小时  

预切 - IR遮挡型 -

以上为实测值,非保证值。

LC88R25 CXXCE LC88R40 CXXCE 测量方法
背面保护层(μm) 25 40  
外观 黑色 黑色
穿透率(%) < 1.0 < 1.0 波长:190 nm ~ 1600 nm
重量減少(%) 0.9 0.9 测量装置:TG-DTA
剥离强度(mN/10 mm) 12000 11500 铜箔 / 背面保护层 / Si晶圆(#2000)
线膨胀系数(ppm) α2 110 110 测量装置:TMA
硬化后晶圆翘曲度(mm) < 0.5 < 0.5 8 英寸晶圆 / 280 μm厚
MSL Level 1 Level 1 IR回流焊:260ºC / 3次
TCT Condition C Condition C JEDEC STANDARD (JESD22-A104-B)
Condition C: -65ºC⇔150ºC x 1000 循环
Condition G: -40ºC⇔125ºC x 1000 循环
杂质含量
[ppm]
Na+ 0.01 0.01 测量装置:离子色谱仪
抽样条件
样品:1 g、水:20 ml(121ºC)
NH4+ 4.5 4.5
Cl- 2.3 2.3
层间剥离力
(mN/25 mm)
340 340 剥离层间 / 背面保护层
热固化条件 140ºC, 2 小时 140ºC, 2 小时  

预切 - IR穿透型 -

以上为实测值,非保证值。

LC86R25 CXXCD LC86R40 CXXCD 测量方法
背面保护层(μm) 25 40  
外观 黑色 黑色
穿透率(%) < 50.0 < 35.0 波长:190 nm ~ 1600 nm
重量減少(%) 1.1 1.1 测量装置:TG-DTA
剥离强度(mN/10 mm) 9500 8500 铜箔 / 背面保护层 / Si晶圆(#2000)
线膨胀系数(ppm) α2 120 120 测量装置:TMA
硬化后晶圆翘曲度(mm) < 0.5 < 0.5 8 英寸晶圆 / 280 μm厚
MSL Level 1 Level 1 IR回流焊:260ºC / 3次
TCT Condition C Condition G JEDEC STANDARD (JESD22-A104-B)
Condition C: -65ºC⇔150ºC x 1000 循环
Condition G: -40ºC⇔125ºC x 1000 循环
杂质含量
[ppm]
Na+ 0.02 0.02 测量装置:离子色谱仪
抽样条件
样品:1 g、水:20 ml(121ºC)
NH4+ 5.6 5.6
Cl- 1.5 1.5
层间剥离力
(mN/25 mm)
110 110 剥离层间 / 背面保护层
热固化条件 130ºC, 2 小时 130ºC, 2 小时  

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